A Samsung Electronics bemutatta a következő generációs flash memória-megoldásokkal kapcsolatos terveit. Az elképzelések megfelelnek a nagy adatátviteli hálózatok, a felhő alapú számítástechnika és a valós idejű elemzések által támasztott, egyre növekvő igényeinek.
 
A Santa Clara Convention Centerben (Kalifornia) tartott Memory Summit 2016 rendezvényen a Samsung bemutatta a vállalati ügyfelei számára elérhető, 4. generációs, függőleges NAND-t (V-NAND) és nagy teljesítményű, nagy kapacitású szilárdtest-meghajtó (SSD) sorozatát, valamint a flash-alapú tárolásban áttörést jelentő új megoldását, a Z-SSD-t.
 
A Samsung új flash tárolóeszközei megfelelnek a mai vállalati informatikai környezetben jelentkező, egyre növekvő tárolási igényeknek, így várhatóan jelentősen hozzájárulnak a globális IT-ágazat fejlődéséhez. Ezek a megoldások hatalmas mennyiségű adat tárolását és rendkívül nagy sebességű információfeldolgozást tesznek lehetővé, miközben csökkentik az adatközpontok teljes életút költségét.
 
4. generációs V-NAND technológiánk segítségével élvonalbeli differenciált értékeket tudunk nyújtani a nagy kapacitású, nagy teljesítményű és kompakt termékek terén. Ezek együttesen hozzájárulnak ahhoz, hogy ügyfeleink jobb eredményeket érjenek el,  mondta Young-Hyun Jun, a Samsung Electronics Memória üzletágának elnöke. „A teljesítmény és az érték maximalizálása érdekében továbbra is a legfejlettebb V-NAND megoldásokat mutatjuk be és ennek megfelelően bővítjük üzleti kezdeményezéseinket a flash memóriák terén.”
 
A Samsung 4. generációs V-NAND-ja elődjénél 30 százalékkal több cellatömb-réteget tartalmaz
 
A Samsung által bemutatott 4. generációs, 64 rétegű, háromszintű cellás V-NAND flash memória már a NAND skálázhatósági, teljesítmény- és tárolókapacitási határait feszegeti. A 64 rétegű cellatömbből felépülő, új V-NAND az egylapkás kapacitást az iparágvezető 512 -ra, a sebességet pedig 800 Mb/s-ra növelheti, ami még inkább nyomatékosítja a Samsung technológiájának vezető szerepét a háromdimenziós NAND cellaszerkezet tervezésében és gyártásában. 2013 augusztusától kezdve a Samsung az iparág-első 24, 32 és 48 rétegű, függőlegesen egymásra helyezett cellatömb-technológiával rendelkező V-NAND termékek három generációját mutatta már be.
 
A Samsung a tervek szerint a világ első 4. generációs V-NAND flash memóriatermékeinek gyártását az idei év negyedik negyedévében kezdi el. Ez segíti majd a gyártókat abban, hogy gyorsabb, elegánsabb és hordozható számítástechnikai eszközöket készíthessenek, miközben a fogyasztók számára rugalmasabb számítástechnikai környezetet nyújtanak.
 
32 -os SSD: a világ legnagyobb kapacitású meghajtója a vállalati tárolórendszerek számára
 
A Samsung legújabb SAS (Serial Attached SCSI) -je a világon eddig bemutatott legnagyobb egyeszközös, 512 gigabites (Gb) V-NAND chipeken alapuló meghajtó. A 16 rétegben egymásra helyezett, összesen 512 V-NAND egy 1 terabájtos (TB) csomagot alkot, a 32 terabájtos (TB) pedig 32 ilyen csomagot tartalmaz.
 
Az új, 4. generációs V-NAND-kialakítással rendelkező, 32 TB-os SAS akár 40-szeresére csökkentheti a rendszer helyigényét egy azonos típusú, két rackes, merevlemezes meghajtókat (HDD) használó rendszerhez képest. A 32 TB-os SAS SSD 2,5 hüvelykes formában lesz kapható, és 2017-ben kezdik gyártani. A Samsung azt is tervezi, hogy a V-NAND technológia folyamatos finomításának köszönhetően 2020-ra elérhetővé teszi a 100 TB-nál nagyobb tárolókapacitással rendelkező SSD-ket.
 
1 TB-os memória egyetlen BGA-tokban
 
A Samsung 1 TB-os -je rendkívül kompakt BGA-tokozással rendelkezik, amely az összes lényeges SSD-alkotórészt tartalmazza, beleértve a háromszintű cellás NAND flash chipeket, az LPDDR4 mobil -ot és a legkorszerűbb Samsung vezérlőt.
 
A memóriaeszköz emellett példátlan teljesítményt, 1500 MB/s szekvenciális olvasási és 900 MB/s szekvenciális írási teljesítményt ígér. Az elődjénél akár 50 százalékkal kisebb SSD mindössze egy grammot nyom (ez egy 5 forintos érme súlyának körülbelül a negyede), így az ultrakompakt, új generációs notebookokba, táblagépekbe is ideális.
 
A Samsung továbbá azt tervezi, hogy jövőre elindítja 1 TB-os BGA SSD-jét, amely a Samsung Electronics és a Samsung Electro-Mechanics által kifejlesztett, nagy sűrűségű tokozási technológiával, úgynevezett „FO-PLP (Fan-out Panel Level Packaging)” technológiával rendelkezik.
 
Az új Z-SSD áttöri a jelenlegi NAND flash memóriatárolás teljesítménykorlátait
 
A Samsung kifejlesztett egy nagy teljesítményű, ultra-alacsony késleltetésű SSD-megoldást, a Z-SSD-t is. A Samsung Z-SSD-je a V-NAND alapvető szerkezetével és olyan egyedi áramkör-kialakítással és vezérlővel rendelkezik, amely a Samsung PM963 NVMe SSD-hez képest négyszer gyorsabb késleltetéssel és 1,6-szor jobb szekvenciális olvasással képes maximalizálni a teljesítményt.
 
A Z-SSD-t a folyamatos valós idejű elemzéssel foglalkozó rendszerekben fogják használni, és a nagy teljesítményt mindenfajta munkára kiterjesztik. Ennek az eszköznek a várható bevezetése a jövő évre tehető.