A kutatócsoport által létrehozott memória 100 nanomásodperc alatt hajt végre egy törlési-írási ciklust, ami közel 100 000-szer gyorsabb a korábban megalkotott szén-nanocsővekből álló memóriáktól, és több mint 10 000 törlési-írási ciklust képes elviselni. „Sebesség és tartósság tekintetében a mi memória struktúránk ugyanolyan jó, mint a széles körben elérhető

Flash

memória technológiák” – nyilatkozta a Helsinki Egyetem fizikusa Päivi Törmä egy interjúban.

A memóriában két hafnium-dioxid réteg közt található a szén-nanocső, és az egész struktúra egy szilícium-dioxid alapon helyezkedik el. A memória belsejében az információt egyszeres falú szén-nanocsövekből álló tranzisztorok tárolják, melyek a leggyorsabb szén-nanocsövekből álló elektronikai komponensek napjainkban. A réteges szerkezetü memória megoldás egyelőre még fejlesztés alatt van, ugyanis a különleges tranzisztorok jelenleg 42 órára képesek megtartani a töltésüket. Amikor áram alá helyezik a tranzisztorokat és az elér egy bizonyos küszöb értéket, ára halad keresztül ami egy információt reprezentál, ami lehet „0” vagy „1”. Például ha egy tranzisztor vezet az jelenthet 1-et, amikor nem akkor az érték 0.